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我有一個8192行(13位地址)和12位寬度的塊RAM。
在Virtex-6中,我們有36kb Block Ram。所以ISE設計套件實現了我的內存爲三個36kb的BRAM,寬度爲4位。不適用Virtex-6電路的max_fanout屬性
對於時序問題,我希望ISE爲每個BRAM讀/寫地址使用單獨的觸發器。因此,對於讀寫地址寄存器,我設置了屬性,但它們不適用。
我有一個8192行(13位地址)和12位寬度的塊RAM。
在Virtex-6中,我們有36kb Block Ram。所以ISE設計套件實現了我的內存爲三個36kb的BRAM,寬度爲4位。不適用Virtex-6電路的max_fanout屬性
對於時序問題,我希望ISE爲每個BRAM讀/寫地址使用單獨的觸發器。因此,對於讀寫地址寄存器,我設置了屬性,但它們不適用。
的一般解決這類問題是擺在任何層次的獨立層,你想合成器不改變。然後給它一個名稱(它的實例名),然後你可以在你的合成器中引用它,以便告訴它不要改變該層次結構的那部分。
因此,就你而言,你可以把這些過程推斷出這些觸發器在一個單獨的層次結構中。我不知道如何告訴ISE,然後單獨留下這些層次的層次,但我很肯定會有一種方法來做到這一點。 (現在你知道一般原則,你可以盡我所能地搜索手冊)。
您應該創建一個模塊,將FF與雙端口RAM(具有數據總線= 4位)結合起來,並在上層模塊中實例化該模塊3次。 –
我想讓ISE自動執行,因爲我想用不同的數據寬度使用此模塊,我通過參數設置數據寬度。 – Mohammad