flash-memory

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    感謝。 我很新的手臂和計算機體系結構一般很抱歉,如果這是一個基本的問題。 我花了很多時間閱讀和學習的MMU和虛擬到物理地址的轉換。我也學習了地址空間。只是爲了確保所有的io外設(如以太網和USB)都有自己的地址以及外部RAM和ROM的權利?所以我想知道地址值,所以我閱讀這個PDF文檔,在這裏:http://infocenter.arm.com/help/topic/com.arm.doc.den0

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    據我所知bin和精靈之間的基本區別在於 .bin文件只包含位或字節的數據,你需要給的內存地址,當你在內存中加載它, 而在精靈之情況下,有符號查找和可重新定位的表格,所以在編程時無需給出地址。 現在看到attached image。我正在使用LPCexpresso在設備中編寫elf文件。如果你沒有給基地址,那麼默認情況下它將需要0x00000000。現在我第一次編程bootloader.elf,然後

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    我使用PIC32MX350F128L單片機使用SPI通信讀取和寫入EEPROM(SST26VF032B)。此程序中的SPI通信正在工作,我已通過發送SST26VF032B數據表中提供的JEDEC代碼進行了檢查。所以當我發送0x9F時,我得到了數據表中提到的3個字節的數據。當我現在運行時,我正在向eeprom的特定地址發送一串數據並獲得0xff作爲回報。在寫入之前,我正在擦除eeprom。所以我認爲

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    我試圖將一些數據保存到我的STM32F407板上的閃存中。在我可以保存它們之前,我需要清除內存扇區。我選擇了16千字節Sector1從地址0x08004000開始並選擇電壓範圍2.1-2.7 V。我正在使用HAL庫。 程序停止響應後FLASH-> CR | = FLASH_CR_STRT;行內HAL_FLASHEx_Erase() - > FLASH_Erase_Sector()函數。 我很確定這

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    我試圖將數據存儲在閃存(非易失性存儲器)中以供進一步檢索。因此,當電源關閉並再次打開時,我可以從內存中讀取數據。 uint32_t address = 0x0800C000; uint64_t data = 0x01; HAL_FLASH_Unlock(); HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, address, data); HAL_FLASH_Lock

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    來自YAFFS2來源(yaffs_ecc.c): 「ECC可以糾正256字節數據頁中的單個位錯誤。」 但是,一些閃速存儲器需要ECC碼,即,例如,必須更正每540字節,或每528個字節4位8位,等等 能ECC算法從YAFFS糾正大於1個誤差更?請給我一個關於ECC算法實現的鏈接,可以糾正一個以上的錯誤並且工作得最快。

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    我的系統需要將數據存儲在EEPROM閃存中。字節串將一次寫入一個EEPROM,而不是一次連續寫入。字符串的長度可能會有所不同。我希望字符串按順序保存,而不會從最後寫入地址繼續浪費任何空間。例如,如果第一個字節的字符串被寫入地址0x00〜0x08,那麼我希望從地址0x09開始寫入第二個字節的字符串。 如何實現?我發現一些EEPROM的寫命令不需要指定地址,只是從最後寫入的點開始繼續。但是我使用的EE

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    我不明白關於AVR閃存訪問的基本知識。如數據表所示,flash頁面由atmega16的64個字組成,並且有128個頁面。由於它具有16k字節的閃存,因此容易得到字大小爲2字節,頁面大小爲128字節。 好吧..在Spi編程模式下有加載和寫入指令。首先,它們有什麼區別? 而第二個問題是關於加載內存頁面的指令。有兩條指令:一條用於低字節,另一條用於高位。我們必須發送四個字節:命令標識字節(如果我可以調用

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    我正致力於將使用at91rm9200處理器和at45db642D數據閃存運行修改的2.6.12.1的傳統主板上的固件升級爲使用at45db641E數據閃存。在641E的特點是: 32768頁 的264個字節 頁大小 靈活擦除選項擦除頁(264個字節),塊(2 KB),一個扇區(256 KB )或整個芯片(64兆比特)。 我相信內核內存管理頁面大小是標準的4096字節。 我想在設備上放一個合適的jf

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    我目前正在開發基於Atmel的at91sam7s256 MCU的器件功能。該功能是具有預設值的計數器,在某些點上會減少。 我的想法是在內部閃存中實現此計數器,因爲大部分閃存空間都未使用。 我在ld腳本中添加了一個單獨的鏈接器部分,並在此部分包含了一個變量。鏈接描述:當計數器減 /* FLASH is reserved for internal settings */ MEMORY