如何刪除C中的多個Flash地址？

我試圖擦除stm32l011k4中的Flash地址。我的代碼就是這樣;如何刪除C中的多個Flash地址？

#define SLAVE_ID_ADDR_I        0x08080001 
#define SLAVE_ID_ADDR_II       0x08080002 
#define SLAVE_ID_ADDR_III       0x08080003 
#define MASTERID         0x08080000 

void software_erase(void){ 

     HAL_FLASH_Unlock(); 

    /* Fill EraseInit structure*/ 
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; 
    EraseInitStruct.PageAddress = SlaveID_III;    
    EraseInitStruct.NbPages  = 4;          

    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) 
    { 
     playTone=3; 
    } 
    else{   
     MasterID = 0; 
     SlaveID_I = 0; 
     SlaveID_II = 0; 
     SlaveID_III = 0; 
     MasterID_loaded = 0; 
     SlaveID_loaded_I = 0; 
     SlaveID_loaded_II = 0; 
     SlaveID_loaded_III = 0; 
     clear_keyfobs = 1; 
     playTone=2; 
    } 
}

編輯：但我想0x08080001之間擦除字節 - 0x08080003。並非所有部分。這意味着必須刪除「0x08080001，0x08080002，0x08080003」，但必須保留「0x08080000」。

有什麼建議嗎？

來源

2017-04-24 Purgoufr

給出的值不是頁面，而是字節地址。您無法刪除Flash中的單個字節。 – Olaf

請閱讀芯片的文檔。它應該告訴你儘可能小的擦除大小。 – user694733

該地址指向EEPROM，不閃爍。

您不必刪除在EEPROM什麼，只是解鎖並寫入新的值。

但是，爲了寫一個字節，你需要一個正確解除引用的指針，一個整數常量將不起作用。

#define SLAVE_ID_ADDR_I (*(volatile unsigned char *)0x08080001) 
#define SLAVE_ID_ADDR_II (*(volatile unsigned char *)0x08080002) 
#define SLAVE_ID_ADDR_III (*(volatile unsigned char *)0x08080003) 
#define MASTERID   (*(volatile unsigned char *)0x08080000) 

void software_erase(void) 
{ 
    if(FLASH->PECR & FLASH_PECR_PELOCK) 
     HAL_FLASH_Unlock(); 
    SLAVE_ID_ADDR_I = 0; 
    ...

來源

2017-04-24 11:55:23 berendi

當你的意思是「字節」時，你似乎會說「頁面」，但這並沒有多大意義。

STM32的閃存中最小的可擦除單元通常被稱爲「扇區」，並且比單個字節大得多。

這是可能的程序（即寫即變成1秒到0）簡單的詞，但你不能刪除（即轉成0 1S）小於在某個時間限制。通常扇區大小是多個千字節，並且也可以在地址空間中變化。

來源

2017-04-24 07:48:41 unwind

如何刪除C中的多個Flash地址？

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