如何防止在記錄期間SD卡創建寫入延遲？

我一直在研究Arduino（ATMega328p）原型，它必須在某些事件中記錄數據。 LSM6DS33傳感器用於以104 Hz的採樣率生成6個值（每個2個字節）。這些數據需要記錄500-20000ms。如何防止在記錄期間SD卡創建寫入延遲？

在我的代碼中，我使用Timer1每1/104秒產生一箇中斷。發生此中斷時，將從傳感器讀取數據，進行校準，然後寫入SD卡。通常情況下，這不是問題。從傳感器讀取數據需要約3350us，校準〜5us並寫入〜550us。這意味着整個循環需要約4000us，而9615us可用。

爲了節省電力，我希望降低電壓到3.3V。根據atmel數據表，這也意味着時鐘頻率應該降至8MHz。假設一切都會慢兩倍，測量週期仍然是可能的，因爲〜8000us < 9615us。

然而，經過一些測試（仍然是5V @ 16MHz）後，我發現寫一個週期需要約1880us而不是約550us。我正在使用庫SdFat編寫和測試SD卡（RawWrite示例）。以下結果出來時，我測試的卡：

開始原始寫入的100000 KB
目標速率：100 KB /秒
目標時間：100秒
閔塊寫入時間：1244百萬分之一
最大塊寫時間：12324萬分之一
平均塊寫入時間：1247萬分之一

正如所看到的，寫的平均時間是相當一致的，但有時10倍平均峯值時間發生！根據庫的作者，這是因爲SD卡在x個寫入週期之間需要一些擦除週期。這會導致寫入延遲（src:post#18&#22）。然而，這種延遲將週期從可用的9615us支架中抽出所需的時間，因爲總的測量週期將是10672us。

我想寫的數據，使用的sprintf首次投入一個字符串：

char buf[20] = ""; 
sprintf(buf,"%li\t%li\t%li\t%li\t%li\t%li",rawData[0],rawData[1],rawData[2],rawData[3],rawData[4],rawData[5]); 
myLog.println(buf);

這將數據寫入到一個txt文件。但以我的速度，只有21 * 104 = 2184 B/s就足夠了。將RawWrite示例的速度降低至6 KB/s，會導致SD卡寫入而不會延長寫入延遲。然而我的代碼仍然有它們，即使寫入的數據較少。

我的問題是：如何防止發生延遲（如果可能）？如果不可能，我該如何解決它？如果我明白爲什麼發生延遲，這將有所幫助，因爲間隔不總是相同的（每10-15次寫入）。

一些附加信息：
草圖當前使用變量的69％的RAM（2kB）。創建兩個512字節緩衝區 - 就像在同一個論壇中建議的那樣 - 對我來說是不可能的。
最初，我使用了兩個字符串。將它們合併爲一個並不影響寫入速度，具有任何意義。

來源

2017-04-05 Martin Janse

擦除延遲是SD卡固有的。如果已滿，您可能會預計更長的延遲。另外，如果細胞老化，他們需要花更長的時間來擦寫。雖然你的問題太廣泛了（我們不是諮詢網站），但緩衝可能會有所幫助，但正如你所說你的RAM處於邊緣，也許Arduino（至少基於ATmega的）不適合你的項目。最後：Arduino是**不** **。不要垃圾標籤。 – Olaf

如果性能很重要，爲什麼要將值轉換爲字符串並寫入文本？這需要更多的空間和更多的時間。 –

@AndrewHenle：雖然我同意在如此小的平臺上使用'printf'等是一個好主意，但它似乎並不是主要問題。它不會避開SD卡攤位。 – Olaf

我不知道如何解決延遲，但我遇到一個更穩定和更快的寫入時間，如果我寫的二進制文件，而不是一個名爲「.csv」或.txt」文件。

以下鏈接提供了一個很好的腳本來將數據作爲二進制結構寫入SD卡。（在他的例子中有一些小的錯字，它很容易修復） https://hackingmajenkoblog.wordpress.com/2016/03/25/fast-efficient-data-storage-on-an-arduino/

這不會幫助你的時間變化，但它可能會減少寫入時間，從而忽略了時間問題。

來源

2017-10-09 08:21:52

如何防止在記錄期間SD卡創建寫入延遲？

回答

相關問題